제조업체 제품 번호:
IPB12CNE8N G
Product Overview
제조사:
Infineon Technologies
부품 번호:
IPB12CNE8N G-DG
설명:
MOSFET N-CH 85V 67A D2PAK
상세 설명:
N-Channel 85 V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
재고:
12800922
견적 요청
수량
최소 1
최소 1
(*) 필수
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
24시간 이내에 답변드리겠습니다.
제출
IPB12CNE8N G 기술 사양
카테고리
FETs, MOSFETs, 단일 FET, MOSFET
제조사
Infineon Technologies
포장
-
시리즈
OptiMOS™
제품 상태
Obsolete
FET 유형
N-Channel
기술
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)
85 V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C
67A (Tc)
구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
10V
Rds 켜기(최대) @ Id, Vgs
12.9mOhm @ 67A, 10V
Vgs(일) (최대) @ Id
4V @ 83µA
게이트 전하(Qg)(최대) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs(최대)
±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds
4340 pF @ 40 V
FET 기능
-
전력 손실(최대)
125W (Tc)
작동 온도
-55°C ~ 175°C (TJ)
실장 형
Surface Mount
공급업체 장치 패키지
PG-TO263-3
패키지 / 케이스
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
기본 제품 번호
IPB12C
데이터 시트 및 문서
데이터시트
HTML 데이터시트
추가 정보
다른 이름들
SP000096451
IPB12CNE8NG
IPB12CNE8N G-DG
표준 패키지
1,000
환경 및 수출 분류
수분 민감도 수준(MSL)
1 (Unlimited)
REACH 상태
REACH Unaffected
증권 시세 표시기
EAR99
(주)헤수스
8541.29.0095
대체 모델
부품 번호
STB80NF10T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
775
부품 번호
STB80NF10T4-DG
단가
1.46
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN017-80BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
2313
부품 번호
PSMN017-80BS,118-DG
단가
0.56
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
PSMN012-80BS,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
5050
부품 번호
PSMN012-80BS,118-DG
단가
0.67
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
BUK9616-75B,118
제조사
Nexperia USA Inc.
구매 가능 수량
6355
부품 번호
BUK9616-75B,118-DG
단가
0.65
대체 유형
MFR Recommended
부품 번호
STB120NF10T4
제조사
STMicroelectronics
구매 가능 수량
27142
부품 번호
STB120NF10T4-DG
단가
2.08
대체 유형
MFR Recommended
DIGI 인증
관련 상품
BSS119L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPB080N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK
IPD50N04S410ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313